离子注入硅片快速退火后的红外椭偏光谱研究

• 作者: 刘显明 李斌成 韩艳玲 高卫东
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 红外椭偏光谱 离子注入 Dmde模型 色散关系
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 1632-1637
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3921字
• 语种: 中文

摘要

离子注入硅片经高温退火后晶体结构缺陷会被修复,其在可见光波段下的光学性质趋于单晶硅,常规的可见光椭偏光谱法对掺杂影响的测量不再有效.本研究将测量波段扩展到红外区域(2-20μm),报道了利用红外椭偏光谱法测最经离子注入掺杂并高温退火的硅片掺杂层光学和电学性质的方法和结果.通过建立基于Drude自由载流子吸收的等效光学模型,得到了杂质激活后掺杂层的杂质浓度分布、电阻率和载流子迁移率等电学参数,以及掺杂层的红外光学常数色散关系,分析了这些参数随注入剂量的关系并对其物理机理给予了解释.研究表明,中远红外椭偏测量是表征退火硅片的有效方法,且测量波长越长,所能分辨的掺杂浓度越低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌成	中国科学院光束控制重点实验室中国科学院光电技术研究所	45	325	10.0	15.0
2	韩艳玲	中国科学院光束控制重点实验室中国科学院光电技术研究所	11	39	3.0	6.0
3	高卫东	中国科学院光束控制重点实验室中国科学院光电技术研究所	19	434	11.0	19.0
4	刘显明	中国科学院光束控制重点实验室中国科学院光电技术研究所	2	10	2.0	2.0