电沉积Cu(In,Ga)Se_2预置层硫化退火制备Cu(In,Ga)(Se,S)_2薄膜及表征

• 作者: 刘业翔 刘军 刘芳洋 匡三双 张治安 李劼 赖延清
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu(In,Ga)(Se,S)_2 Cu(In,Ga)Se_2 电沉积 H_2S退火
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1196-1201
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

在550℃下的H_2S气氛中退火处理电沉积制备的Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)预置层,制备了太阳电池光吸收层Cu(In,Ga)(Se,S)_2(CIGSS)薄膜.采用X射线能量色散谱、俄歇电子能谱、扫描电镜、X射线衍射和拉曼光谱对退火前后的薄膜进行表征.结果表明,H_2S气氛下退火能够实现薄膜中O的去除和S的掺入,同时使得各元素的纵向分布更加均匀并可消除Cu-Se微相.此外,H_2S退火还可改善薄膜的结晶性能,并使S和Ga进入黄铜矿结构,薄膜晶格参数变小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘业翔	中南大学冶金科学与工程学院	179	2522	25.0	39.0
2	李劼	中南大学冶金科学与工程学院	259	2311	22.0	31.0
3	赖延清	中南大学冶金科学与工程学院	224	2239	23.0	32.0
4	刘军	中南大学冶金科学与工程学院	142	1222	16.0	29.0
5	张治安	中南大学冶金科学与工程学院	45	435	13.0	18.0
6	刘芳洋	中南大学冶金科学与工程学院	29	88	7.0	9.0
7	匡三双	中南大学冶金科学与工程学院	2	18	2.0	2.0