晶硅太阳电池中Fe-B对与少子寿命、陷阱浓度及内量子效率的相关性

• 作者: 于征汕 吕鹏 孟夏杰 李凤 殷晏庭 马忠权
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 少子寿命 陷阱浓度 内量子效率 Fe-B对
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 4322-4329
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

以太阳电池级直拉单晶硅片为材料,利用瞬态微波反射光电导衰减仪研究了硅片分别经过单、双面扩散后Fe-B对与少子寿命т、陷阱浓度及制备成电池的内量子效率(IQE)的相关性.对于单面扩散后的样品,Fe-B对浓度分布在较大程度上决定了少子寿命分布;对于双面扩散后的样品,Fe-B对浓度显著降低(在1.35×1011cm-3左右),已不及其他杂质和缺陷对少子寿命的影响.结合瞬态微波衰减信号和陷阱模型,对单、双面吸杂前后硅片的陷阱浓度进行数值计算,发现经过扩散吸杂后硅片的陷阱浓度显著减少.对经过单面扩散后的硅片进行取点分析,发现Fe-B对浓度与陷阱浓度的相关性较差,即Fe-B对不是影响陷阱浓度变化的主要因素.将分别经过单面和双面扩散的硅片制备成太阳电池,利用光生诱导电流测量了电池的IQE.分析发现,经过双面扩散制备的电池的IQE比经过单面扩散制备的电池的IQE高,且IQE分布较单面扩散制备的电池更均匀,说明Fe-B对的浓度分布显著影响IQE的分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马忠权	上海大学物理系	25	87	5.0	8.0
2	李凤	上海大学物理系	6	19	2.0	4.0
3	孟夏杰	上海大学物理系	3	8	2.0	2.0
4	殷晏庭		1	5	1.0	1.0
5	于征汕		1	5	1.0	1.0
6	吕鹏		1	5	1.0	1.0