电场调谐InAs单量子点的发光光谱

• 作者: 倪海桥 孙宝权 常秀英 熊永华 牛智川 窦秀明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InAs单量子点 Stark效应 电子-空穴分离
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 4279-4282
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

采用稳态和时间分辨发光光谱,研究了生长在p-i-n二极管结构内的InAs单量子点发光光谱的电场调谐特性.随着电场强度的增加,观察到量子点中激子发光的Stark效应.通过选择不同波长的激光线激发量子点样品,发现随着电场强度的增加导致量子点发光强度的减弱,这是由于量子点俘获载流子概率的减小所致,而激子寿命的增加源于电场导致激子的Stark效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙宝权	中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室	20	17	2.0	3.0
2	窦秀明	中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室	13	37	4.0	5.0
3	牛智川	中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室	45	124	5.0	8.0
4	倪海桥	中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室	14	8	1.0	1.0
5	常秀英	中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室	3	3	1.0	1.0
6	熊永华	中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室	1	0	0.0	0.0