集成电路微互连结构中的热迁移

• 作者: 吴懿平 张金松 王永国 陶媛
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 集成电路 微互连 热迁移
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 4395-4402
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

高工作电流在集成电路微互连结构中产生大量焦耳热,引起局部区域的温升、形成高温度梯度,金属原子沿着温度梯度反向运动发生热迁移.热迁移是集成电路微互连失效的主要原因之一.阐述了热迁移原理、失效模式及原子迁移方程.综述和分析了在单纯温度场、电场和温度场耦合等不同载荷条件下金属引线和合金焊料的热迁移研究.归纳并提出了集成电路微互连结构热迁移研究亟待解决的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴懿平	华中科技大学材料科学与工程学院	79	771	16.0	24.0
2	张金松	上海大学机电工程与自动化学院	24	80	4.0	8.0
3	王永国	上海大学机电工程与自动化学院	15	57	4.0	7.0
4	陶媛	华中科技大学材料科学与工程学院	1	20	1.0	1.0