忆阻混沌振荡器的动力学分析

• 作者: 刘中 包伯成 许建平
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 忆阻振荡器 初始条件 动力学行为 瞬态混沌
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 3785-3793
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

忆阻器(memristor)是一种有记忆功能的非线性电阻器,它是除电阻器、电容器和电感器之外的第四种基本电路元件.采用一个具有光滑磁控特性曲线的忆阻器和一个负电导替换蔡氏振荡器中的蔡氏二极管,导出了一个基于忆阻器的振荡器电路.采用常规的动力学分析手段研究了电路参数和初始条件变化时该光滑忆阻振荡器的动力学特性.研究结果表明,光滑忆阻振荡器与一般的混沌系统完全不同,它的动力学行为除了与电路参数有关外,还极端依赖于电路的初始条件,存在瞬态混沌和状态转移等奇异的非线性物理现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许建平	西南交通大学电气工程学院	187	2834	30.0	44.0
2	刘中	南京理工大学电子工程系	111	1342	20.0	30.0
3	包伯成	南京理工大学电子工程系	14	309	8.0	14.0