一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

• 作者: 李沛林 杨建红
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 电流模带隙基准 基准电压修调 电源电压抑制比 温度系数
• 年，卷（期）: 2010,（16）
• 页码范围: 202-204,210
• 分类号: TN432-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.16.063

摘要

采用Xfab 0.35 μm BiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出0.5 V的带隙基准源电路.该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调.利用Cadence软件对其进行仿真验证,其结果显示,当温度在-40～+120 ℃范围内变化时,输出基准电压的温度系数为15 ppm/℃;电源电压在2～4 V范围内变化时,基准电压摆动小于0.06 mV;低频下具有-102.6 dB的PSRR,40 kHz前电源抑制比仍小于-100 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建红	兰州大学物理科学与技术学院微电子与固体电子学研究所	44	143	6.0	9.0
2	李沛林	兰州大学物理科学与技术学院微电子与固体电子学研究所	3	6	2.0	2.0