氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究

• 作者: 周丽宏 张勇 张崇宏 李炳生 杨义涛
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC 注入 氦泡 纳米压痕
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 4130-4135
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

4H-SiC晶体经能量为100 keV,剂量为3×1016cm-2的氦离子高温(500 K)注入后,再在773-1273 K温度范围内进行了退火处理,最后使用纳米压痕仪测量了样品注入面的硬度.测试结果表明,在500-1273 K温度范围内样品的硬度随退火温度升高呈现先增大后减小再增大的趋势,其中773 K退火样品的硬度增大明显.分析认为,退火样品的硬度变化是由退火过程中缺陷复合与氦泡生长导致样品内部的Si-C键密度、键长和键角改变引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张崇宏	中国科学院近代物理研究所	50	169	7.0	11.0
2	李炳生	中国科学院近代物理研究所	18	66	5.0	7.0
6	张勇	中国科学院近代物理研究所	140	1936	22.0	41.0
10	周丽宏	中国科学院近代物理研究所	11	55	4.0	7.0
14	杨义涛	中国科学院近代物理研究所	27	72	5.0	7.0