弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究

• 作者: 俞国林 周远明 戴宁 林铁 褚君浩 郭少令 高矿红
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 双量子阱 隧穿结构 磁电导振荡
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 4221-4225
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

研究了低温(1.5 K)条件下弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱结构的纵向磁隧穿特性.研究表明,器件在零偏压下处于共振状态.通过分析不同偏压下的磁电导振荡曲线,可以得到双量子阱中的基态束缚能级随偏压的变化规律,从而可以确定隧穿电流峰对应的隧穿机制.所得结果可为弱耦合双量子点器件的制备提供基础.