超低功耗10bit逐次逼近模数转换器

• 作者: 张耀辉 朱从义 金星 马文龙
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 逐次逼近模数转换器 超低功耗 全差分 自校准 电容阵列
• 年，卷（期）: 2010,（35）
• 页码范围: 177-179
• 分类号: T
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-6835.2010.35.070

摘要

本文研究设计了一种基于CMOS 0.18um工艺下的30uw超低功耗10 bit逐次逼近模数转换器((SAR ADC).本结构为在1.2V低电源电压条件下使用全差分结构,使用1V作为参考电平,经前仿SNR有55.8dB.两个完全对称的电容阵列接入带自校准的比较器,比较器再接入存储器中.为了提高逐次逼近模数转换器的精度、匹配度以及减小整个电容面积,电容阵列采用了与以往传统结构不同的分级电容的方式,所有单元电容都使用相同大小样式的电容.芯片采用Chartered 0.18um工艺实现,并对芯片进行了测试.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张耀辉	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	11	27	4.0	4.0
2	马文龙	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	4	4	1.0	1.0
3	金星	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	12	72	4.0	8.0
4	朱从义	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	1	1	1.0	1.0