气隙对电容和击穿场强的影响

• 作者: 肖啸 肖志刚 许德富 邓敏
• 来源期刊: 科学之友
• 关键词: 电容器 电容 击穿场强 气隙 电介质
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 应用技术
• 页码范围: 35-36
• 页数: 2页
• 分类号: TM53
• 语种: 中文

摘要

电容和击穿场强是电容器的两个重要电性能指标.以平板电容器和圆柱形电容器为例,分析了电介质中存在的气隙对电容和击穿场强的影响,结果表明气隙会导致电容和击穿场强降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓敏	乐山师范学院物理与电子工程学院	15	40	3.0	6.0
2	许德富	乐山师范学院物理与电子工程学院	20	27	3.0	4.0
3	肖志刚	乐山师范学院物理与电子工程学院	21	50	3.0	6.0
4	肖啸	乐山师范学院物理与电子工程学院	22	95	4.0	9.0