原文服务方: 科技与创新       
摘要:
利用TCAD工具Medici模拟了宽基硅二极管快中子探测器在正向恒流状态时快中子的辐射剂量与其端电压的关系.建立PIN二极管辐照等效模型.通过模型求解和二维数值模拟软件medici仿真确定了模型的使用范围.分析研究了不同辐照剂量下基区电场的变化.
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文献信息
篇名 PIN二极管快中子剂量探测器等效模型
来源期刊 科技与创新 学科
关键词 PIN二极管 Medici 快中子
年,卷(期) 2010,(25) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 126-128
页数 分类号 TL816.3
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.2095-6835.2010.25.051
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 钟传杰 江南大学信息工程学院 53 90 5.0 7.0
2 刘荣林 江南大学信息工程学院 3 13 1.0 3.0
3 程月东 江南大学信息工程学院 3 13 1.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
PIN二极管
Medici
快中子
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科技与创新
半月刊
2095-6835
14-1369/N
大16开
2014-01-01
chi
出版文献量(篇)
41653
总下载数(次)
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