PMOS辐射检测传感器阈值漂移特性的Medici模拟

• 作者: 刘荣林 程月东 钟传杰
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: PMOS 阈值电压 漂移特性 MEDICI
• 年，卷（期）: 2010,（19）
• 页码范围: 102-104
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-6835.2010.19.041

摘要

本文研究了PMOS辐射检测传感器的阈值电压漂移特性,文中选择三种具有不同参数的器件结构进行讨论,重点考察了器件尺寸参数对阈值漂移特性的影响,运用二维数值模拟软件MEDICI进行数值模拟和分析,模拟结果表明栅氧厚度、沟道长度和宽度以及沟道掺杂浓度对阈值电压漂移特性具有不同形式的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟传杰	江南大学信息工程学院	53	90	5.0	7.0
2	刘荣林	江南大学信息工程学院	3	13	1.0	3.0
3	程月东	江南大学信息工程学院	3	13	1.0	3.0