10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应

• 作者: 任迪远 兰博 李茂顺 王义元 费武雄 郑玉展 陆妩 陈睿
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 模数转换器 辐射效应 室温退火
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 204-208
• 分类号: TN431
• 字数: 4315字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2011.02.019

摘要

对10位CMOS模数转换器ADC7910的60Coγ射线的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果显示:模数混合电路在不同剂量率辐照下的电离辐照响应有明显区别,在高剂量率辐照下的损伤明显大于低剂量率的辐照,但这种差异可通过高剂量率辐照加与低剂量率辐照相同时间的室温退火来消除,因而具有时间相关效应.对辐射敏感参数和损伤机理进行了初步探讨.