不同靶间距下非晶态碲镉汞薄膜生长及厚度均匀性研究

• 作者: 余连杰 姬荣斌 孔令德 孔金丞 李凡 李雄军 杨丽丽 王光华 邓功荣
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶态碲镉汞(a-Hg1-xCdxTe,a-MCT) 靶间距 均匀性 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 13-16
• 分类号: TN213
• 字数: 2596字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.01.004

摘要

采用射频磁控溅射法在不同靶间距下生长非晶态碲镉汞薄膜并研究其生长速率、择优取向及厚度均匀性.实验结果表明随着靶间距减小及溅射功率增加生长速率增大;不同靶间距下Hg1-xCdxTe薄膜结晶特性差距较大,择优取向为(111)方向;增大靶间距能够有效地提高薄膜厚度均匀性,75mm靶间距时,50 mm×60 mm及10 mm× 10 mm范围内厚度均匀性分别优于7%和1%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姬荣斌		50	200	7.0	10.0
2	李雄军		24	68	4.0	7.0
3	孔金丞		26	70	4.0	6.0
4	王光华		11	72	4.0	8.0
5	余连杰		24	105	6.0	8.0
6	孔令德		12	37	4.0	4.0
7	杨丽丽		8	40	4.0	6.0
8	李凡		3	15	3.0	3.0
9	邓功荣		8	26	3.0	4.0