高效率GaAsP/AlGaAs张应变量子阱激光二极管

• 作者: 王俊 白一鸣 陈诺夫
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 激光二极管 GaAsP/AlGaAs量子阱 张应变量子阱 金属有机气相外延(MOCVD) 电光效率
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 146-149,158
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1911字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.03.002

摘要

从理论上设计优化了高效率808 nm GaAsP/AlGaAs张应变量子阱激光二极管外延材料的量子阱结构和波导结构参数,并采用低压金属有机气相外延技术实验制备了外延材料.将制作的芯片解理成不同腔长,测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.82 cm-1和93.6 %.把腔长为900 μm的单巴条芯片封装在热传导热沉上,器件在准连续工作条件下最大电光效率达到60.5%相应的抖率效率和输出光功率分别为1.28 W/A和74.9 W.器件测试结果表明,采用优化的GaAsP/AlGaAs张应变量子阱和宽波导结构,可以有效提高器件的电光效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王俊	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	130	1155	16.0	27.0
2	陈诺夫	华北电力大学新能源与可再生能源北京市重点实验室	33	154	6.0	11.0
6	白一鸣	华北电力大学新能源与可再生能源北京市重点实验室	20	35	3.0	4.0