基于单一类型载流子的电子倍增CCD倍增模型

• 作者: 尹丽菊 张灿林 陈钱
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学与激光技术 电子倍增CCD 电子倍增 片上增益 边缘场 电荷倍增极
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 页码范围: 580-583
• 分类号: TN223
• 字数: 1857字
• 语种: 中文

摘要

基于单一类型载流子,讨论了电子倍增CCD(EMCCD)的雪崩倍增原理,并在此基础上使用经典分段电离率模型,结合雪崩倍增积分关系式建立了EMCCD的倍增模型.根据实际器件倍增结构和栅压幅值确定使用Wolff多次碰撞电离理论.通过倍增模型的理论计算与实际器件的倍增曲线比较发现边缘场强度足够大,倍增区足够宽才能引起适当的信号倍增.该模型可以方便地计算单一类型载流子信号通过全固态多级级联电子倍增寄存器后的总增益与倍增栅压的关系曲线.计算结果表明,倍增模型与现有EMCCD器件倍增数据吻合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈钱	南京理工大学电子工程与光电技术学院	248	2662	25.0	37.0
2	尹丽菊	南京理工大学电子工程与光电技术学院	5	35	3.0	5.0
3	张灿林	南京理工大学电子工程与光电技术学院	5	87	3.0	5.0