基于O.18μm工艺CMOS超宽带低噪声放大器设计

• 作者: 徐国明
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 超宽带 低噪声放大器
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 31-34
• 分类号: TN402
• 字数: 1835字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2011.04.008

摘要

超宽带技术是一种无载波通信技术,利用纳秒至微微秒级的非正弦波窄脉冲传输数据,相对于窄带技术,使用超宽带技术进行无线传输具有很多优势.文章介绍了一种基于0.18 μmCMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器.结合计算机辅助设计,可以看出经过优化后其S11和S22在3.1GHz～10.6GHz范围内都小于-10dB,而正向增益S21根据-3dB带宽计算可得其符合要求的频率范围达到2.4GHz～10.4GHz,噪声系数NF在2.8GHz左右达到最低值1dB,平均在2.5dB,可以认为是比较低的.整体而言电路符合UWB技术所运用范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐国明		1	6	1.0	1.0