用于改善多指SiGeHBT热特性的变指间距设计方法研究

• 作者: 丁春宝 张万荣 王任卿 肖盈 金冬月 陈亮
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 指间距设计 热阻 热耦合
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 374-378
• 分类号: TN322.8
• 字数: 2452字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.04.006

摘要

通过引入表示发射指之间热耦合程度的耦合热阻,建立了多指异质结双极晶体管(HBT)热阻模型.基于该模型,得 到了耦合热阻与指间距的变化关系,并用于器件指间距的设计.当耦合热阻均匀分布时,所对应的一套非等值的指间距值便 是器件温度均匀分布所要求的指间距值.用该方法得到热阻分布与热模拟得到的温度分布相吻合.但这种方法不必通过热 模拟来得到温度分布均匀的SiGe HBT各指间距值,具有快速、直观的优点,为变指间距的设计提供了方便.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万荣	北京工业大学电子信息与控制工程学院	105	390	8.0	12.0
2	金冬月	北京工业大学电子信息与控制工程学院	49	155	8.0	8.0
3	丁春宝	北京工业大学电子信息与控制工程学院	21	83	6.0	7.0
4	陈亮	北京工业大学电子信息与控制工程学院	20	61	5.0	6.0
5	肖盈	北京工业大学电子信息与控制工程学院	8	20	3.0	4.0
6	王任卿	北京工业大学电子信息与控制工程学院	8	18	2.0	4.0