偏压对活性屏离子渗氮工艺的影响

• 作者: 赵程 郑少梅
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 活性屏离子渗氮 直流离子渗氮 偏压 渗氮层 辉光放电
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 等离子体技术
• 页码范围: 701-704
• 分类号: TG156.8
• 字数: 3028字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2011.06.10

摘要

通过对40C钢进行活性屏离子渗氮处理,研究了在活性屏离子渗氮工艺过程中工件所加的偏压对渗氮层的影响.试验结果表明,在不加偏压或偏压较低的情况下,对距离活性屏较近的工件,其表面有一定厚度的渗氮层形成,硬度提高；而距离活性屏较远的工件,其表面几乎没有渗氮层的形成,但当增大偏压至400～450 V时,工件表面产生弱的辉光放电,距离活性屏较远的工件表面也有渗氮层形成.通过控制偏压值,可以使工件表面形成厚度均匀的渗氮层,提高工件硬度；同时也可以避免直流离子渗氮过程中产生的打弧、边缘效应等问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵程	青岛科技大学机电工程学院	91	740	14.0	21.0
2	郑少梅	青岛理工大学机械工程学院	16	45	4.0	6.0