RF-PECVD法制备a-Si1-x Cx:H薄膜的光学性能研究

• 作者: 傅俊威 吴茂阳 李伟 蒋亚东 邱毅娇
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: a-Si1-xCx:H薄膜 PECVD 傅里叶转换红外光谱 紫外-可见光谱 光学性能
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 21-24
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3529字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.01.005

摘要

以SiH4和CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4/SiH4流量比和射频功率制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-Si1-x Cx:H)薄膜.采用傅里叶转换红外光谱(FTIR)和紫外-可见(UV-Vis)光谱等测试手段,对薄膜的成键情况及其对光学带隙的影响进行了研究分析.结果表明,Si-C键的强度和光学带隙随着CH4/SiH4 流量比的增加而增大;但是,随着射频功率的增加,a-Si1-x C4:H薄膜的光学带隙反而略有减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋亚东	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	318	2024	18.0	25.0
2	李伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	75	359	10.0	14.0
3	邱毅娇	电子科技大学光电信息学院	2	7	1.0	2.0
4	吴茂阳	电子科技大学光电信息学院	1	7	1.0	1.0
5	傅俊威	电子科技大学光电信息学院	1	7	1.0	1.0