Cr3+掺杂对快速生长KDP晶体的生长习性和光学性能的影响

• 作者: 丁建旭 刘光霞 刘冰 刘文洁 孙云 孙洵 朱胜军 牟晓明 王圣来 许心光 顾庆天
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 快速生长 KDP晶体 生长习性 光学性能 掺杂
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 354-358
• 页数: 5页
• 分类号: O781
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1077.2011.00354

摘要

采用快速法生长了掺杂不同Cr3+浓度的KDP晶体,测试了KDP晶体(100)面在不同Cr3+掺杂浓度下的生长速度及死区,表征了Cr3+掺杂的KDP晶体的Cr3+元素分布、透过光谱、散射颗粒分布和光损伤阈值.实验表明Cr3+易吸附在晶体(100)面,从而增大了(100)生长死区,并降低了(100)面生长速度.Cr3+使快速生长的晶体产生柱、锥面生长区分界线.元素分析表明Cr3+更容易通过柱面生长进入晶体,从而导致晶体在可见光波段及紫外波段透过率的降低,最明显的是在220、450和650 nm三处吸收峰的出现.Cr3+进入晶体后使晶体中散射颗粒增多,基频和三倍频脉冲激光照射下晶体的损伤阈值随Cr3+掺杂浓度的增加而降低,且柱面区的损伤阈值要低于锥面区的损伤阈值.