晶体Si片切割表面损伤及其对电学性能的影响

• 作者: 周剑 周浪 汤斌兵 蔡二辉 辛超
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片 切割 表面损伤 少子寿命 钝化
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 制造工艺技术
• 页码范围: 614-618
• 分类号: TN305.1
• 字数: 3176字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.08.009

摘要

对比观察了不同工艺条件下金刚石线锯和砂浆线锯切割晶体Si片的表面微观形貌；分析了其切割机理及去除模式；对比分析了三种不同化学方法钝化Si片的效果和稳定性；采用逐层腐蚀去除Si片的损伤层,使用碘酒对其进行化学钝化,然后测试其少子寿命,分析Si片少子寿命随去除深度的变化趋势,根据Si片少子寿命达到最大值时的腐蚀深度,测试确定Si片的损伤层厚度.经实验测得,砂浆线锯切割Si片的损伤层厚度为10 μm左右,金刚石线锯切割Si片的损伤层厚度为6 μm左右.结果表明,相比于砂浆线锯切割Si片,金刚石线锯切割Si片造成的表面损伤层更浅,表面的机械损伤也更小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周浪	南昌大学太阳能光伏学院	110	1018	16.0	26.0
2	蔡二辉	南昌大学太阳能光伏学院	2	26	2.0	2.0
3	汤斌兵	南昌大学太阳能光伏学院	7	34	3.0	5.0
4	辛超	南昌大学太阳能光伏学院	2	11	2.0	2.0
5	周剑	南昌大学太阳能光伏学院	1	8	1.0	1.0