钛基片的化学机械抛光技术研究

• 作者: 刘岩 戴媛静 潘国顺 裴惠芳
• 来源期刊: 摩擦学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 钛基片 化学机械抛光 纳米级粗糙度 抛光机理
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 131-136
• 分类号: TN305.2|TH117.3
• 语种: 中文

摘要

采用化学机械抛光(CMP)方法对钛基片进行纳米级平坦化处理,通过系列抛光试验优化抛光液组成和抛光工艺条件后,得到AFM-Ra为0.159 nm的纳米级抛光表面和156.5 nm/min的抛光速率.抛光液的电化学分析结果表明:二氧化硅颗粒和乳酸在钛表面有不同程度的吸附缓蚀作用,氨水和F-的络合、扩散作用能破坏缓蚀膜层,两者的中间平衡状态才能得到最佳抛光效果.抛光后钛表层XPS测试结果显示钛表层经过化学氧化形成疏松氧化层后,再通过磨粒和抛光垫的机械作用去除.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘国顺	清华大学摩擦学国家重点实验室	27	358	12.0	18.0
5	刘岩		23	123	6.0	10.0
6	戴媛静	清华大学摩擦学国家重点实验室	15	39	4.0	6.0
7	裴惠芳		1	3	1.0	1.0