SiZ710DT:功率MOSFET

• 作者: 江兴
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 经济
• 关键词: 导通电阻 非对称结构 优化空间 最大电流 SiZ710DT
• 年，卷（期）: bdtxx_2011,（1）
• 页码范围: 4-4
• 页数: 1页
• 分类号: F416.63

摘要

【正】Vishay推出采用PowerPAIR 6 mm×3.7 mm封装和TrenchFET GenⅢ技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET——SiZ710DT,新器件比其前一代器件的导通电阻减小43%,同时具有更高的最大电流并提高效率。SiZ710DT在一个小尺寸封装中整合了低边和高边MOSFET,导通电阻低。SiZ710DT的低边Channel 2 MOSFET利用了非对称结构在优化空间上的