快速热退火对Co/Si0.85Geo.15肖特基结电学特性的影响

• 作者: 姚素英 徐文慧 王光伟 肖夏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 快热退火 肖特基结 肖特基势垒高度 电学特性
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 924-928
• 分类号: O472.4
• 字数: 2482字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113209.0924

摘要

用离子束溅射技术分别在SiO2和单晶Si衬底上沉积了Si1-xGex和Co薄膜.在不同温度下,对Co/Si1-xGex肖特基结进行快速热退火处理(RTA),对处理后的样品进行了表面形貌和电学测量.发现退火温度升高,样品表面粗糙度变大,理想因子也变大,但对肖特基势垒高度(SBH)的影响很小.分析认为,随着退火温度的升高,金属/半导体界面缺陷态密度的增加是造成理想因子变大的主要原因.界面态对费米能级的“钉扎”以及固相反应生成锗硅化钴与Co的功函数大致相同,是SBH基本不随温度变化的主要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐文慧	天津职业技术师范大学电子工程学院	5	3	1.0	1.0
2	王光伟	天津大学电信学院	18	31	3.0	5.0
4	姚素英	天津大学电信学院	160	911	14.0	21.0
5	肖夏	天津大学电信学院	26	91	6.0	7.0