提高中子管产额的措施

• 作者: 乔双 景士伟
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 中子管 产额 稳定性 真空度 镀膜
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 893-896
• 分类号: O571
• 字数: 1862字
• 语种: 中文

摘要

针对国产密封中子管存在的提高产额问题,采取三项措施:排气过程的真空度提高到2×10-6 Pa;离子源引出端磁场强度提高到0.33T；通过实验寻找到靶上镀膜厚度的最佳值为2.2 μm.以φ50 mm中子管为例,实际测试结果表明,中子管产额达109/s量级,在5×107/s下运行,寿命达到4000h以上,稳定性≤2％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	景士伟	东北师范大学物理学院	29	161	8.0	11.0
2	乔双	东北师范大学物理学院	95	600	12.0	20.0