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摘要:
提出了一种新颖的基于双极工艺的迟滞比较器,该电路在保持了传统电路的高共模输入电平和低功耗的优点的同时,在电路结构上比传统的电路节省了一级射随器.此外,为了保证该迟滞比较器中两级运算放大器的稳定性还进行了频率补偿的研究,并对该电路的稳定性进行了仿真,其仿真结果保证了60°的相位裕度.该迟滞比较器的电路使用华润上华1 μm双极晶体管工艺实现,芯片测试结果表明,其上阈值点为7.4V,下阈值点为6.92 V,迟滞电压约为0.48 V,输出高电平约为0.76 V,电路工作稳定.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 高共模输入电平的迟滞比较器设计
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 迟滞比较器 双极工艺 高共模输入电平 低功耗 频率稳定性
年,卷(期) 2011,(8) 所属期刊栏目 集成电路设计与应用
研究方向 页码范围 623-626
页数 分类号 TN710
字数 1898字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.08.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 廖永波 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 20 106 5.0 9.0
2 杨兵 北方工业大学信息工程学院 20 30 3.0 4.0
3 张晋芳 北京交通大学电子信息工程学院 4 11 3.0 3.0
4 鲍嘉明 北方工业大学信息工程学院 17 52 4.0 6.0
5 鞠家欣 北方工业大学信息工程学院 17 33 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
迟滞比较器
双极工艺
高共模输入电平
低功耗
频率稳定性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
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38
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