射频磁控溅射法制备N掺杂β-Ga2O3薄膜的光学特性

• 作者: 张丽英 张易军 曲崇 李厅 李清山 闫金良
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 透明导电氧化物 光学带隙 退火 N掺杂β-Ga2O3
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜光学
• 页码范围: 852-856
• 分类号: O484.1
• 字数: 1420字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20114006.0852

摘要

在不同氨分压比(0～30％)下,用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性的影响.N掺杂β-Ga2O3薄膜的微结构、光学透过率、光学吸收和光学带隙随着氨分压比的增加发生了显著变化.观察到了绿光、蓝光和紫外发光带,并对每个发光带进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫金良	鲁东大学物理学院	25	100	5.0	8.0
2	李清山	鲁东大学物理学院	40	97	5.0	7.0
3	张易军	鲁东大学物理学院	4	14	3.0	3.0
4	曲崇	鲁东大学物理学院	7	15	2.0	3.0
5	张丽英	鲁东大学物理学院	1	7	1.0	1.0
6	李厅	鲁东大学物理学院	1	7	1.0	1.0