利用奈米技术制作砷化镓之微奈米孔洞

• 作者: 吕思纬 蔡文芳 陈正强 陈隆建
• 来源期刊: 纳米技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 金属辅助蚀刻
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 39-44
• 页数: 6页
• 分类号: TN3

摘要

本研究利用金属辅助式蚀刻技术在无通电下制作出具有微米等级的孔洞于n型砷化镓(GaAs)基板,观察其不同时蚀刻时间条件下砷化镓基板表面型态与反射光谱。实验结果显示随着蚀刻时间的增加孔洞结构越明显,并在蚀刻时间20分钟有较低的反射率。使用近0度角入射之反射式光谱,在未蚀刻前抛光GaAs之反射光谱曲线反射率在50%以下,在400~800 nm范围内平均的反射率为33.69%,使用45度角入射之反射式光谱,未蚀刻前抛光GaAs反射光谱与近0度角入射之镜面反射式光谱架构的光谱都低于50%,400~800 nm波段间之平均反射率为33.56%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈隆建		2	0	0.0	0.0
2	陈正强		1	0	0.0	0.0
3	吕思纬		1	0	0.0	0.0
4	蔡文芳		1	0	0.0	0.0