Cu掺杂硅量子点的电子结构和光学性质

• 作者: 丁学成 梁伟华 王秀丽 王英龙 褚立志 邓泽超
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅量子点 第一性原理 态密度 磁性 光学性质
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 1027-1032
• 分类号: O469
• 字数: 4525字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理的方法,对Cu掺杂H钝化硅量子点的形成能、态密度、磁性和光学性质进行了计算,考虑了Cu占据硅量子点替代和间隙的不同位置.结果表明:Cu趋向占据硅量子点表面的六角形间隙位置.Cu掺杂硅量子点引入了杂质能级,带隙变窄.由于Cu的d态p态和Si的p态耦合,导致Cu替代掺杂硅量子点具有铁磁性,且在低能区出现了一个较强的吸收峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓泽超	河北大学物理科学与技术学院	48	123	6.0	8.0
2	褚立志	河北大学物理科学与技术学院	47	155	7.0	10.0
3	丁学成	河北大学物理科学与技术学院	44	89	5.0	7.0
4	梁伟华	河北大学物理科学与技术学院	36	92	6.0	8.0
5	王英龙	河北大学物理科学与技术学院	96	301	9.0	12.0
6	王秀丽	河北大学物理科学与技术学院	9	12	2.0	2.0