基于GaAs PHEMT的Ku波段宽带单片中功率放大器

• 作者: 刘如青 崔玉兴 张斌 高学邦
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs Ku波段 宽带 功率放大器 单片
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 230-232,253
• 分类号: TN722.75|TN304.23
• 字数: 1061字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.04.005

摘要

设计并实现了一款Ku波段宽带单片中功率放大器,依据电路原理设计了功率放大器电路,利用ADS软件对设计的电路和版图分别进行了电学参数优化与电磁仿真.放大器采用0.25 μm栅长的GaAs PHEMT作为有源器件,芯片衬底减薄至80μm,采用了NiCr金属膜电阻、重叠式MIM(金属-绝缘体-金属)电容器、空气桥连接和背面通孔接地等工艺技术.放大器芯片输入输出端口匹配到50Q.微波性能测试结果表明,单片放大器的工作频率为13～18 GHz,功率增益19 dB,饱和输出功率29 dBm,功率附加效率30%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
2	张斌	中国电子科技集团公司第十三研究所	32	87	6.0	8.0
3	崔玉兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	88	6.0	8.0
4	刘如青	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	28	2.0	5.0