过渡金属催化有机不饱和键的理论研究

• 作者: 武志坚 汤浩 胡蕴成
• 来源期刊: 东方电气评论
• 学科: 工学
• 关键词: Pd催化 反应机理 密度泛函理论:S-CN键
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 1-6,33
• 分类号: TQ426.81
• 字数: 4194字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9006.2011.04.002

摘要

使用密度泛函B3LYP以及分子轨道MP2和CCSD(T)方法,研究了Pd( PH3)2催化炔烃硫氰化的可能反应路径.对于异构化、插入和还原消除基元反应步骤,这3种方法给出了相似的结果.对应氧化加成反应,B3 LYP水平单膦和双膦路径是竞争的,而MP2和CCSD(T)水平双膦路径更有反应优势.从电子给予和电子反馈角度研究了HS - CN与Pd( PH3)2和Pd( PH3)的氧化加成反应以及炔烃与Pd-B键的插入反应的电子机理.研究结果表明,炔烃与Pd-S或Pd - CN插入反应的区域选择性与S的p轨道有很大关系,因为从S的未杂化双占据p轨道到联烯π‘反键的电子反馈作用使得Pd-S比Pd - CN更容易发生炔烃插入反应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汤浩		4	26	3.0	4.0
2	武志坚	中国科学院长春应用化学研究所稀土资源利用国家重点实验室	9	18	2.0	4.0
3	胡蕴成		4	8	2.0	2.0