不同结构的反射式GaAs光电阴极的光谱特性比较

• 作者: 张益军 高频
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs光电阴极 反射式 光谱响应 缓冲层 梯度掺杂
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 微光技术
• 页码范围: 429-432
• 分类号: TN223
• 字数: 2183字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.012

摘要

利用分子束外延生长了三种结构的反射式GaAs光电阴极,其中一种为传统结构的反射式GaAs光电阴极,另外两种为具有GaAlAs缓冲层的均匀掺杂和梯度掺杂反射式GaAs光电阴极.激活后的光谱响应测试结果表明,与传统结构的反射式GaAs光电阴极相比,具有GaAlAs缓冲层的均匀掺杂反射式GaAs光电阴极的长波响应更好,而具有GaAlAs缓冲层的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极相比其它结构的反射式GaAs光电阴极能够获得更好的光电发射性能,光谱响应曲线更平坦,拟合光谱响应曲线结果表明其电子扩散长度和电子表面逸出几率都得到了增加,从而具有更高的积分灵敏度和长波响应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高频	南京理工大学电子工程与光电技术学院	12	88	6.0	9.0
2	张益军	南京理工大学电子工程与光电技术学院	28	105	6.0	8.0