磁控溅射技术室温生长氢化ZnO∶Ga薄膜及其特性研究

• 作者: 张德坤 张晓丹 张翅 王斐 耿新华 赵颖 陈新亮 魏长春 黄茜
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲磁控溅射 氧化锌 镓掺杂 H2流量 绒面结构
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 页码范围: 1404-1409
• 分类号: TG356.28
• 字数: 3825字
• 语种: 中文

摘要

采用直流脉冲磁控溅射方法,在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO/H),并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构.研究了室温下H2流量对薄膜结构、光电性能及表面形貌的影响.实验表明,氢化GZO(GZO/H)薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,引入适当流量的H2可以有效提高薄膜的电学特性,GZO/H薄膜具有更低的电阻率以及较高的迁移率和载流子浓度.当通入H2流量为6 sccm时,薄膜电阻率为6.8 ×10-4 Ω·cm,Hall迁移率达34.2 cm2/Ⅴ·s,制备的GZO/H薄膜可见光区域平均透过率优于85％.此外,研究了H2流量对湿法腐蚀后绒面GZO/H薄膜表面形貌的影响,提出了一种薄膜绒面结构形成过程模型.