罗姆“全球首次”开始量产SiC制功率晶体管

• 作者: 章从福
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 经济
• 关键词: 功率晶体管 SIC 罗姆 通用产品 定制产品 导通电阻 产品阵容 封装面积 工艺技术 筛选法
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 7-8
• 页数: 2页
• 分类号: F416.63

摘要

【正】罗姆宣布已开发完成使用SiC的DMOSFET(double-diffusion metal-oxidesemiconductorFET),并已开始量产。计划从2010年12月开始量产供货定制产品,2011年夏季供货通用产品。计划此后花1年左右的时间在耐压为600 V～1200 V、电流为5 A～20 A的范围内充实产品。罗姆过去一直积极致力于SiC的元件开发。2010年4月已开始量产SiC制肖特基势垒二极管(SBD)。罗姆表示,此次通过开发自主的工艺技术和筛选法,解