制备工艺对智能框架断路器用AgNi(30) C(3)触头材料性能的影响

• 作者: 张秀芳 方耀兴 柏小平 鲁香粉 黄文明 黄钟
• 来源期刊: 电工材料
• 关键词: AgNi(30) C(3)触头材料 混粉 包覆 智能框架断路器
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 研究·分析
• 页码范围: 23-26
• 分类号: TM205.1|TM501+.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-8887.2011.04.005

摘要

分别采用机械混粉法和化学包覆法制备AgNi(30) C(3)粉体,分析了不同制备工艺条件下AgNi(30)C(3)触头材料显微组织和性能的变化.结果表明,化学包覆法制备的AgNi(30) C(3)材料颗粒细小,分散均匀,基体结合强度较高.与机械混粉法制备的AgNi(30)C(3)相比,化学包覆法制备的AgNi(30)C(3)材料密度、硬度较高,电阻率较低,综合性能较佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柏小平		37	153	7.0	10.0
2	黄文明		6	3	1.0	1.0
3	张秀芳		5	9	2.0	2.0
4	鲁香粉		1	2	1.0	1.0
5	方耀兴		2	3	1.0	1.0
6	黄钟		1	2	1.0	1.0