基于90nm CMOS工艺的60GHz射频接收前端电路设计

• 作者: 张海英 杨浩 郭瑞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 60 GHz频段 射频接收前端 低噪声放大器 混频器 互补金属氧化物半导体
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与应用
• 页码范围: 786-790
• 分类号: TN432
• 字数: 2569字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.10.011

摘要

设计了一款用于中国60 GHz标准频段的射频接收前端电路.该射频接收前端采用直接变频结构,将59 ～ 64 GHz的微波信号下变频至5～10 GHz的中频信号.射频前端包括一个四级低噪声放大器和电流注入式的吉尔伯特单平衡混频器.LNA设计中考虑了ESD的静电释放路径.后仿真表明,射频接收前端的转换增益为13.5～17.5 dB,双边带噪声因子为6.4～7.8 dB,输入1 dB压缩点为- 23 dBm.电路在1.2V电源电压下功耗仅为38.4 mW.该射频接收前端电路采用IBM 90 nm CMOS工艺设计,芯片面积为0.65 mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	杨浩	中国科学院微电子研究所	112	4085	31.0	63.0
3	郭瑞	中国科学院微电子研究所	20	175	7.0	13.0