p层厚度对Si基GaN垂直结构LED出光的影响

• 作者: 刘彦松 江风益 王光绪 王立 陶喜霞
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: LED GaN 垂直结构 出光 p层厚度
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1069-1073
• 分类号: TN312+.8
• 字数: 1867字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113210.1069

摘要

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的InGaN/GaN蓝光LED薄膜并制备成垂直结构发光二极管(VLEDs),研究了 p层厚度即p面金属反射镜与量子阱层的间距对LED出光效率的影响,并采用F-P干涉模型进行了理论分析.结果显示,光提取效率受d影响很大,随d的增加呈现类似阻尼振动的变化趋势,分别在0.73λn处和1.01λn处取得第一个极大值和极小值,且前者是后者两倍多.因此优化p层厚度可以有效提高LED的出光效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	48	324	10.0	14.0
2	江风益	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	60	527	12.0	19.0
3	王光绪	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	5	25	2.0	5.0
4	陶喜霞	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	2	7	1.0	2.0
5	刘彦松	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	1	6	1.0	1.0