GaAs光电导开关非线性锁定效应的机理研究

• 作者: 施卫 纪卫莉 薛红 韩小卫
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电导开关 锁定效应 光激发单极电荷畴 非平衡载流子
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 407-410
• 分类号: TN256
• 字数: 3131字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2011.04.005

摘要

根据光激发电荷畴模型,研究强电场条件下,半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的瞬态输运过程及载流子与晶格相互作用的性质,并对光激发单极电荷畴的形成、生长、输运及达到稳定平衡状态的全过程进行了分析.认为GaAs光电导开关的非线性锁定效应是光激发单电荷畴处于稳定平衡状态时的必然结果,同时,电荷畴内部及前端的强电场区域伴随有热电子强烈的局部碰撞电离和辐射复合作用,使载流子迅速“雪崩”倍增,形成输出电脉冲的超快上升沿,强电场区出现在GaAs光电导开关的阳极周围,在电荷畴到阳极之间将发生强烈的碰撞电离和辐射复合发光,形成丝状电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛红	西安理工大学理学院	38	78	5.0	7.0
3	韩小卫	西安理工大学理学院	39	150	6.0	11.0
5	施卫	西安理工大学理学院	85	925	17.0	25.0
6	纪卫莉	西安理工大学理学院	11	111	6.0	10.0