一种20M低相位噪声晶体振荡器的设计

• 作者: 傅忠谦 王怡飞 钱丰
• 来源期刊: 电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS工艺 晶体振荡器 振幅控制 低相位噪声
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 电子元器件
• 页码范围: 61-62,60
• 分类号: TN752
• 字数: 1896字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2011.05.027

摘要

设计了一种20M低相位噪声晶体振荡器.通过对振荡原理的分析,选取了Santos结构的振荡器进行设计.该晶体振荡器由主振荡电路、振幅控制电路两部分组成,用标准的0.18 μm CMOS工艺实现,并通过Cadence平台下的软件进行仿真.结果表明,所设计的晶体振荡器的相位噪声在偏离中心频率1kHz、10kHz、1MHz处的相位噪声分别为:-121dBc/Hz、-145dBc/Hz、-165dBc/Hz,性能比较理想,可以满足射频芯片对晶体振荡器高相位噪声性能的需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅忠谦	中国科学技术大学电子科学与技术系	64	706	12.0	25.0
2	王怡飞	中国科学技术大学电子科学与技术系	3	11	2.0	3.0
3	钱丰	中国科学技术大学电子科学与技术系	1	2	1.0	1.0