金属有机化学气相沉积W薄膜

• 作者: 李一 李发长 李楠 李金普 柳学全 贾成厂
• 来源期刊: 粉末冶金技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 六羰基钨(W(CO)6) 薄膜
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 334-338
• 分类号: TB43
• 字数: 3301字
• 语种: 中文

摘要

以W(CO)6为前驱体,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在Cu基体表面进行了沉积W薄膜的研究.通过调整W(CO)6热解温度、W(CO)6气化温度及载气(高纯氢气)的流量等工艺参数,成功制备了均匀、致密的W薄膜；研究了沉积速率与上述参数之间的关系,并得出了在本试验条件下应用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备W薄膜的最佳工艺参数:热解温度为320 ～ 380℃,载气流量为160～200ml/min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柳学全	钢铁研究总院粉末冶金研究室	37	248	10.0	13.0
2	李一	北京科技大学材料科学与工程学院	19	129	6.0	10.0
4	贾成厂	北京科技大学材料科学与工程学院	227	1841	21.0	26.0
5	李发长	北京科技大学材料科学与工程学院	5	28	4.0	5.0
6	李楠	北京科技大学材料科学与工程学院	8	24	2.0	4.0
9	李金普	北京科技大学材料科学与工程学院	2	8	2.0	2.0