Yb3+:GdGaGe2O7制备、结构及光谱性能

• 作者: 孙敦陆 宁凯杰 张庆礼 殷绍唐
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 材料 Yb3+:GdGaGe2O7 X射线衍射 光致发光 晶场能级
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 234-240
• 分类号: O782
• 字数: 2660字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2011.02.019

摘要

采用固相法制备了10 at%Yb3+:GdGaGe2O7多晶粉体,通过X射线粉末衍射用Rietveld全谱拟合给出了其空间群为P21/c,晶格常数a、b、c和β,Gd/Yb和Ga的原子坐标,以及Ge1、Ge2、O1～O7的原子坐标.通过吸收谱、激发谱、光致发光谱和Raman光谱确定Yb3+的晶场能级分裂,1003 nm发光在低温(8 K)和室温(300 K)时上能级荧光寿命为0.493 ms和0.774 ms.在室温下测量荧光寿命变长主要由再吸收引起.Yb3+:GdGaGe2O7的吸收和发射光谱均很宽,荧光寿命长,是潜在的全固态激光工作物质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙敦陆	中国科学院安徽光学精密机械研究所安徽省光子器件与材料重点实验室	36	292	9.0	15.0
2	张庆礼	中国科学院安徽光学精密机械研究所安徽省光子器件与材料重点实验室	60	592	14.0	22.0
3	殷绍唐	中国科学院安徽光学精密机械研究所安徽省光子器件与材料重点实验室	76	682	14.0	22.0
4	宁凯杰	中国科学院安徽光学精密机械研究所安徽省光子器件与材料重点实验室	4	2	1.0	1.0