化学有序AlxGa1-xN合金的第一性原理研究

• 作者: 凡头文 唐壁玉 杨芳 武健 潘正贵 王继伟
• 来源期刊: 湘潭大学自然科学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlxGa1-xN 化学有序 能带结构 第一性原理 半导体
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 数学
• 页码范围: 10-16
• 分类号: O738
• 字数: 1931字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5900.2011.02.004

摘要

基于第一性原理方法系统研究了化学有序结构AlxGa1-xN合金的结构特征和电子性质.结果表明:随着组分x的增大,化学有序结构AlxGa1-xN合金的晶格常数逐渐减小,而结构稳定性变强.计算的电子结构揭示:化学有序结构AlxGa1-xN合金是直接带隙半导体,其带隙随着x的增大而变宽.化学有序化对带隙变化的影响可能源于量子阱的局域化,且化学有序结构AlxGa1-xN的化学键是包含明显离子特性的共价键.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨芳	湘潭大学材料与光电物理学院	22	32	4.0	5.0
2	唐壁玉	湘潭大学材料与光电物理学院	9	43	3.0	6.0
3	潘正贵	湘潭大学材料与光电物理学院	2	0	0.0	0.0
4	凡头文	湘潭大学材料与光电物理学院	3	1	1.0	1.0
5	武健	湘潭大学材料与光电物理学院	2	0	0.0	0.0
6	王继伟	湘潭大学材料与光电物理学院	3	18	1.0	3.0