抗辐射双极n-p-n晶体管的研究

• 作者: 张健 张国俊 李俊宏 李平 束平 罗玉香 翟亚红 胡滨 范雪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双极n-p-n晶体管 辐射效应 电流增益 抗辐射
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 页码范围: 773-777
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

根据发射极周长与面积比（P/A）最小的原则,优化设计了双极n-p-n晶体管的尺寸参数,采用20V双极型工艺设计制造了三种抗辐射加固的n-p-n晶体管.测试表明,在总剂量为1kGy的辐照条件下,所制备的发射结加固型n-p-n晶体管和含有重掺杂基区环的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高10%—15%;而两种加固措施都有的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高15%—20%.