空位和Si掺杂对In在石墨烯上吸附的影响

• 作者: 危书义 孙永灿 戴宪起 赵建华
• 来源期刊: 新型炭材料
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理 吸附 空位 掺杂 铟 硅 石墨烯
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 46-51
• 分类号: TQ127.1+1
• 字数: 3745字
• 语种: 中文

摘要

利用第一性原理方法计算了空位和Si(硅)替位掺杂对In(钢)原子在石墨烯上吸附的影响.结果表明:在低覆盖度下,空位比Si替位掺杂更能增强In在石墨烯上的吸附,主要原因在于空位引入更多的悬挂键,加强了In和石墨烯之间相互作用.而对于较高覆盖度,Si替位掺杂却比空位对In吸附在石墨烯上的影响更强.无论是较高覆盖度还是低覆盖度,空位和Si替位掺杂均增强了In在石墨烯上的吸附.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴宪起	河南师范大学物理与信息工程学院	42	133	6.0	9.0
2	赵建华	河南师范大学物理与信息工程学院	6	42	3.0	6.0
3	孙永灿	河南师范大学物理与信息工程学院	3	10	1.0	3.0
4	危书义	河南师范大学物理与信息工程学院	37	99	5.0	7.0