应用于W-CDMA的单片InGaP/GaAs HBT功率放大器

• 作者: 廖英豪 方志坚 王志功 陈志坚 黄继伟
• 来源期刊: 东南大学学报（英文版）
• 学科: 工学
• 关键词: 功率放大器 宽带码分多址 异质结双极型晶体管 偏置电路 增益压缩
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 132-135
• 分类号: TN431
• 字数: 870字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7985.2011.02.003

摘要

设计了一款微波单片集成电路功率放大器.该放大器采用了一种新颖的在片偏置电路技术,不仅避免了由于电源和温度变化导致的直流偏置点的不稳定,而且补偿了由于输入信号增大所引起的交流偏置点的偏离.电流镜结构的偏置电路与反馈电路使偏置电压维持在一个稳定的状态,在反馈电路中引入一个非反相电路提高了电路增益.通过在偏置管的基极并联一个电容进一步改善了功率放大器的线性.该芯片采用InGaP/GaAs HBT工艺制作.测试结果表明:该放大器具有26.6 dBm的输出压缩点,对于W-CDMA应用,放大器的效率为33.6％,ACPR为-40.2 dBc.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	黄继伟	东南大学射频与光电集成电路研究所	10	27	3.0	4.0
6	陈志坚		2	9	2.0	2.0
7	廖英豪		3	16	3.0	3.0
8	方志坚		2	10	2.0	2.0