MEMS圆片级真空封装金硅键合工艺研究

• 作者: 刘川 刘胜 张卓 汪学方 王宇哲
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS 真空封装 金硅键合 圆片级
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 1-4
• 分类号: TN305.94
• 字数: 2658字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2011.01.001

摘要

提出一种适用于微机电系统(MEMS)圆片级真空封装的键合结构,通过比较分析各种键合工艺的优缺点后,选择符合本试验要求的金硅键合工艺.根据所提出键合结构和金硅键合的特点设计键合工艺流程,在多次试验后优化工艺条件.在此工艺条件下,选用三组不同结构参数完成键合试验.之后对比不同的结构参数分别测试其键合质量(包括键合腔体泄漏率和键合强度的检测).完成测试后对不同结构参数导致键合质量的差异做出定性分析,同时得到适用于MEMS圆片级真空封装的金硅键合结构和键合工艺.最后对试验做出总结和评价,并对试验中的不足之处提出后续改进建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪学方	华中科技大学机械科学与工程学院	32	210	8.0	12.0
5	刘胜	华中科技大学机械科学与工程学院	75	815	15.0	25.0
9	王宇哲	华中科技大学机械科学与工程学院	11	65	5.0	7.0
13	张卓	华中科技大学机械科学与工程学院	10	105	5.0	10.0
17	刘川	华中科技大学能源与动力工程学院	3	18	2.0	3.0