S在Cu(111)表面吸附的第一性原理研究

• 作者: 杨宗献 楚兴丽 路战胜
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: S吸附 Cu(111) 第一性原理 电子结构
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 557-562
• 分类号: O485
• 字数: 2881字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2011.03.029

摘要

基于广义梯度近似的投影缀加平面波(Projector augmented wave)赝势和具有三维周期性边界条件的超晶胞模型,采用第一原理方法计算并分析了由S吸附所形成的S/Cu(111)界面体系的吸附结构、吸附能和局域电子结构,考虑了不同覆盖度(1,0.25 ML)下S在不同吸附位置的吸附特性.结果表明:S原子倾向于吸附在高对称的fcc位与hcp位；由于S的负电性而使S/Cu吸附能随覆盖度的减小而增加,与之相应,S-Cu键长随覆盖度的减小而缩短.DOS图、Bader电荷分析表明杂化主要发生在S的3p态和表面Cu原子的3d态之间,表层近邻的Cu原子向S转移的电子数随覆盖度增加而减小,这表明S与Cu(111)面有强的相互作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	路战胜	河南师范大学物理信息与工程学院	17	92	6.0	8.0
2	杨宗献	河南师范大学物理信息与工程学院	24	107	7.0	8.0
3	楚兴丽	河南师范大学物理信息与工程学院	12	23	3.0	4.0