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摘要:
采用化学水浴以CdCl2·H2O、CS( NH2)2、NH4Cl、NH3·H2O和去离子水作为反应前驱物制备CdS纳米晶薄膜.采用扫描电镜( SEM)、X射线衍射(XRD)、透射光谱和稳态荧光光谱,研究了反应前驱物中不同的n(S)∶n(Cd)对所制备的CdS薄膜的形貌、结构和光学性能的影响.结果表明:反应前驱物中n(S)∶n(Cd)≥3:1时均能制备出由纳米颗粒组成的、具有立方晶系结构的CdS薄膜;CdS薄膜均为富镉的n型半导体,薄膜中的S/Cd原子比约为0.9∶1;CdS薄膜的吸收边在450nm左右,在510~2 500 nm范围内透射率均在70%以上,在500 nm处有一较强的发光峰.
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文献信息
篇名 反应前驱物中n(S)∶n(Cd)对CdS薄膜结构及发光特性的影响
来源期刊 发光学报 学科 物理学
关键词 化学水浴法 CdS薄膜 n(S):n(Cd) 光致发光
年,卷(期) 2011,(8) 所属期刊栏目 器件制备及器件物理
研究方向 页码范围 793-797
页数 分类号 O482.31
字数 3682字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20113208.0793
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 魏爱香 广东工业大学材料与能源学院 42 197 7.0 11.0
2 招瑜 广东工业大学材料与能源学院 17 86 4.0 8.0
3 赵湘辉 广东工业大学材料与能源学院 4 28 3.0 4.0
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化学水浴法
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22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
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1970
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